半导体行业动态：长江存储加快国产设备导入 NAND闪存制造供应链迎来新变化

新建晶圆厂提高国产设备采购比例

半导体制造设备国产化正在成为国内存储芯片产业的重要发展方向。随着人工智能服务器、数据中心及企业级存储市场需求增长，NAND闪存芯片的制造能力和产能布局受到产业链持续关注。

2026年11月6日，路透社报道，长江存储正在为计划建设的第四座武汉晶圆厂推进设备采购规划，并考虑将国产设备采购比例提高至60%至70%。这一目标高于其第三座工厂略高于50%的国产设备采购比例。

根据报道，第四座工厂预计于2027年启动建设，主要面向先进NAND闪存芯片生产，产品规划涉及超过300层的堆叠存储技术，重点服务数据中心及人工智能相关市场。

需要注意的是，目前相关供应商洽谈仍处于初步阶段，尚未正式下达采购订单。

300层以上NAND闪存对制造工艺提出更高要求

NAND闪存是一种非易失性存储器，断电后仍能够保存数据，广泛应用于固态硬盘、移动存储设备、企业级存储系统及数据中心。

随着存储容量需求不断增加，3D NAND技术逐渐成为行业主流发展路线。其核心思路是通过垂直堆叠存储单元，在有限的芯片面积内提高存储密度。

当堆叠层数进一步增加时，制造工艺的复杂程度也随之提高。高深宽比通道刻蚀、薄膜沉积、晶圆键合及结构检测等环节，都需要更精细的工艺控制。

清洗、刻蚀及抛光设备成为国产替代重点

从长江存储的设备采购规划来看，国产半导体设备企业有望获得更多供应链合作机会。

目前，国内设备厂商已经在晶圆清洗、化学机械抛光和刻蚀等领域形成一定的技术积累。这些设备直接参与晶圆加工过程，其工艺表现会影响存储芯片的结构质量和生产良率。

其中，刻蚀设备需要满足高深宽比结构加工要求；清洗设备需要有效控制颗粒污染和化学残留；CMP设备则需要在材料去除过程中保持较好的表面平整度。

不过，国产设备在不同工艺环节的发展并不均衡。路透社报道指出，长江存储在光刻、检测等部分先进工艺设备方面仍然依赖海外供应商，设备国产化仍需要持续推进。

国产半导体设备产业链相关方向

设备国产化带动配套仪器需求

晶圆制造设备国产化不仅涉及主机设备，也对真空测量、压力监测、温度控制、流量检测及精密分析仪器提出了配套需求。

例如，在薄膜沉积和刻蚀工艺中，真空环境及工艺气体压力需要进行精确控制；在晶圆清洗和表面处理过程中，需要关注液体温度、流量及洁净程度；在晶圆检测环节，则需要利用光学测量和精密分析设备评估加工质量。

随着国内晶圆厂持续推进设备国产化，相关仪器仪表及生产辅助设备供应商也将迎来更多产业链合作机会。

行业展望

长江存储第四座晶圆厂的设备采购规划，反映出国内存储芯片制造企业正在进一步提高国产设备应用比例。对于国内半导体设备产业而言，晶圆厂扩产不仅意味着设备需求增加，也意味着国产设备需要通过实际生产验证，不断提升工艺适配能力和长期运行可靠性。

未来，围绕NAND闪存制造所涉及的清洗、刻蚀、薄膜沉积、真空控制及精密检测等环节，国产半导体设备产业链仍有较大的技术发展空间。